Мощность-транзистор
Артикул: C536716
Part Number: IPD048N06L3 G
Производитель: Infineon
от 0.862100 ₽
В наличии: 165 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.393000 ₽ |
| 10 шт. | 1.186500 ₽ |
| 30 шт. | 1.073500 ₽ |
| 100 шт. | 0.944000 ₽ |
| 500 шт. | 0.888300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.862100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 90A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 115W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 37nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.3nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 47pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.1nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
115W 60V 90A 1.7V 3.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS