Infineon IPB80N08S2-07
Артикул: C536675
Part Number: IPB80N08S2-07
Производитель: Infineon
от 5.353200 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.582300 ₽ |
| 10 шт. | 5.484800 ₽ |
| 30 шт. | 5.418200 ₽ |
| 100 шт. | 5.353200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 75V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 144nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 580pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.26nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
75V 80A 3V 300W 5.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS