Infineon IPB70N10S3-12
Артикул: C536647
Part Number: IPB70N10S3-12
Производитель: Infineon
от 4.157500 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.334500 ₽ |
| 10 шт. | 4.258200 ₽ |
| 30 шт. | 4.207800 ₽ |
| 100 шт. | 4.157500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 66nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.355nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 158pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 940pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
125W 100V 70A 4V 11.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS