R+O HF65N6H0SJ
Артикул: C53664505
Part Number: HF65N6H0SJ
Производитель: R+O
от 0.573500 ₽
В наличии: 409 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.944000 ₽ |
| 10 шт. | 0.792900 ₽ |
| 50 шт. | 0.716500 ₽ |
| 100 шт. | 0.641800 ₽ |
| 500 шт. | 0.596300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.573500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 31W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 600mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 19.2nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 802pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 18pF |
Описание
650V 8A 4.2V 31W 600mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный ITO-220AB одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)