R+O HB70N6H0SJ
Артикул: C53664503
Part Number: HB70N6H0SJ
Производитель: R+O
от 0.358500 ₽
В наличии: 2372 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.665300 ₽ |
| 10 шт. | 0.540900 ₽ |
| 30 шт. | 0.478000 ₽ |
| 100 шт. | 0.415000 ₽ |
| 500 шт. | 0.377900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.358500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 700V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 600mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 19.2nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 663pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 21pF |
Описание
700V 8A 4.2V 83W 600mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)