R+O HB65N6H0SJ
Артикул: C53664502
Part Number: HB65N6H0SJ
Производитель: R+O
от 0.363900 ₽
В наличии: 2285 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.675200 ₽ |
| 10 шт. | 0.549100 ₽ |
| 30 шт. | 0.485100 ₽ |
| 100 шт. | 0.421200 ₽ |
| 500 шт. | 0.383500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.363900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 78W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 600mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 19.2nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 651pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 21pF |
Описание
650V 8A 4.1V 78W 600mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)