R+O HB10N1H1S
Артикул: C53664488
Part Number: HB10N1H1S
Производитель: R+O
от 0.086900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.229000 ₽ |
| 200 шт. | 0.091400 ₽ |
| 500 шт. | 0.088400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.086900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 40W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 108mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 828pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 28pF |
Описание
100V 10A 1.5V 40W 108mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)