R+O HW2EP190S
Артикул: C53664482
Part Number: HW2EP190S
Производитель: R+O
от 0.059900 ₽
В наличии: 2360 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.113600 ₽ |
| 50 шт. | 0.090500 ₽ |
| 150 шт. | 0.078900 ₽ |
| 500 шт. | 0.070300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.063300 ₽ |
| 6000 шт. | 0.059900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 25V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 22A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 19mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 19.6nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.204nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 167pF |
Описание
25V 22A 1V 2W 19mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-6(2x2) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)