P-канальный обогащение режим Field эффект транзистор

P-канальный обогащение режим Field эффект транзистор

Артикул: C5366419 Part Number: CB3401 Производитель: CBI
от 0.019500 ₽ В наличии: 2840 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.037900 ₽
100 шт. 0.030000 ₽
300 шт. 0.026000 ₽
3000 шт. 0.023000 ₽
6000 шт. 0.020700 ₽
9000 шт. 0.019500 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 P-Channel
Тип P-Channel
Напряжение сток–исток 30V
Непрерывный ток стока (Id) 4.2A
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.4W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 50mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 9.4nC@4.5V
Входная ёмкость (Ciss) 954pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 77pF
Выходная ёмкость (Coss) 115pF

Описание

30V 4.2A 1V 1.4W 50mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)