Infineon IPB530N15N3 G
Артикул: C536593
Part Number: IPB530N15N3 G
Производитель: Infineon
от 4.238700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.830800 ₽ |
| 10 шт. | 5.218300 ₽ |
| 30 шт. | 4.854400 ₽ |
| 100 шт. | 4.485600 ₽ |
| 500 шт. | 4.315100 ₽ |
| 1000 шт. | 4.238700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 150V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 21A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 68W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 44mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 8.7nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 667pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 80pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
68W 150V 21A 3V 44mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS