Infineon IPB039N10N3 G E8187
Артикул: C536505
Part Number: IPB039N10N3 G E8187
Производитель: Infineon
от 1.488000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.057800 ₽ |
| 200 шт. | 1.571300 ₽ |
| 500 шт. | 1.515700 ₽ |
| 1000 шт. | 1.488000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 160A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 214W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 88nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.32nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 41pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.21nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
214W 100V 160A 2.7V 3.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS