Infineon IPAN65R650CE
Артикул: C536447
Part Number: IPAN65R650CE
Производитель: Infineon
от 0.413200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.126300 ₽ |
| 200 шт. | 0.436200 ₽ |
| 500 шт. | 0.420900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.413200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10.1A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 86W |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 650mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 23nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 440pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 88pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 30pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
86W 650V 10.1A 3V 650mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220FP-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS