CoolSiC 1200V SiC траншейный MOSFET, кремний карбид MOSFET
Артикул: C536293
Part Number: IMZ120R090M1H
Производитель: Infineon
от 4.731300 ₽
В наличии: 41 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.743700 ₽ |
| 10 шт. | 5.794900 ₽ |
| 30 шт. | 5.216400 ₽ |
| 90 шт. | 4.731300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 26A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 115W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 90mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 21nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 707pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 39pF |
Описание
N-канальный 1.2kV 26A 115W монтаж в отверстия TO-247-4