1200V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C536292
Part Number: IMZ120R060M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 7.410200 ₽
В наличии: 396 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.492900 ₽ |
| 10 шт. | 9.039400 ₽ |
| 30 шт. | 8.152600 ₽ |
| 90 шт. | 7.410200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 36A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 60mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 31nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.06nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 58pF |
Описание
N-канальный 1.2kV 36A 150W монтаж в отверстия TO-247-4