650 V CoolSiC M1 SiC силовой траншейный устройство
Артикул: C536287
Part Number: IMW65R048M1H
Производитель: Infineon
от 12.782200 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 13.206200 ₽ |
| 10 шт. | 12.782200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 39A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 64mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 33nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.118nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 13pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 168pF |
Описание
650V 39A 5.7V 125W 64mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS