Infineon IKZ50N65ES5
Артикул: C536228
Part Number: IKZ50N65ES5
Производитель: Infineon
от 2.128900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.806200 ₽ |
| 240 шт. | 2.247800 ₽ |
| 480 шт. | 2.169100 ₽ |
| 960 шт. | 2.128900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 274W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.35V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 120nC@50A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V@500uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 88pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 12pF |
| Время задержки включения Td(on) | 36ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 294ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 770uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 880uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 62ns |
Описание
274W 80A 650V TO-247-4 одиночные IGBT-транзисторы RoHS