Infineon IKZ50N65EH5
Артикул: C536227
Part Number: IKZ50N65EH5
Производитель: Infineon
от 6.482300 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.752000 ₽ |
| 10 шт. | 6.636600 ₽ |
| 30 шт. | 6.558700 ₽ |
| 100 шт. | 6.482300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 273W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 85A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 109nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.1nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 90pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 250ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 410uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 190uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 53ns |
Описание
273W 85A 650V TO-247-4 одиночные IGBT-транзисторы RoHS