Infineon IKY50N120CH3
Артикул: C536224
Part Number: IKY50N120CH3
Производитель: Infineon
от 12.673700 ₽
В наличии: 17 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 16.249500 ₽ |
| 10 шт. | 14.563200 ₽ |
| 30 шт. | 13.534800 ₽ |
| 100 шт. | 12.673700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 652W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.35V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 235nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@1.7mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.269nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 355pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 199pF |
| Время задержки включения Td(on) | 32ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 296ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 255ns |
Описание
652W 100A 1.2kV TO-247-4 одиночные IGBT-транзисторы RoHS