Обратный проводящий серия обратный проводящий IGBT с монолитный корпус диод
Артикул: C536220
Part Number: IKW50N65WR5
Производитель: Infineon
от 2.222300 ₽
В наличии: 1199 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.639800 ₽ |
| 10 шт. | 3.094100 ₽ |
| 30 шт. | 2.769600 ₽ |
| 90 шт. | 2.441900 ₽ |
| 510 шт. | 2.289500 ₽ |
| 990 шт. | 2.222300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 282W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 230nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.5mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.14nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 55pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 23pF |
| Время задержки включения Td(on) | 45ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 417ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 840uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 220uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 110ns |
Описание
282W 80A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS