Высокоскоростной IGBT пятого поколения серии High Speed 5 по технологии TRENCHSTOP 5, в общем корпусе с быстрым встречно-параллельным диодом RAPiD 1 с мягким восстановлением, рассчитанным на полный ток
Артикул: C536218
Part Number: IKW50N65EH5
Производитель: Infineon
от 1.999400 ₽
В наличии: 4605 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.931900 ₽ |
| 10 шт. | 2.584400 ₽ |
| 30 шт. | 2.366500 ₽ |
| 90 шт. | 2.143600 ₽ |
| 510 шт. | 2.042000 ₽ |
| 990 шт. | 1.999400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 275W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 120nC@520V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.5mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 90pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 12pF |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 172ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 500uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 81ns |
Описание
275W 80A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS