Быстродействующий IGBT 5 по технологии TRENCHSTOP 5 в общем корпусе с быстрым встречно-параллельным диодом RAPID 1 с мягким восстановлением; IGBT и диод DuoPack на 650V, серия быстрого переключения пятого поколения.
Артикул: C536217
Part Number: IKW40N65F5
Производитель: Infineon
от 3.534100 ₽
В наличии: 12 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.496600 ₽ |
| 10 шт. | 4.741500 ₽ |
| 30 шт. | 4.292300 ₽ |
| 90 шт. | 3.838300 ₽ |
| 510 шт. | 3.628700 ₽ |
| 990 шт. | 3.534100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 255W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 74A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 95nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.4mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 160ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 360uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 100uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 60ns |
Описание
255W 74A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS