Обратный проводящий серия обратный проводящий IGBT с монолитный корпус диод

Обратный проводящий серия обратный проводящий IGBT с монолитный корпус диод

Артикул: C536215 Part Number: IKW30N65WR5 Производитель: Infineon
от 1.513100 ₽ В наличии: 37 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.556200 ₽
10 шт. 2.167200 ₽
30 шт. 1.924300 ₽
90 шт. 1.675100 ₽
510 шт. 1.562300 ₽
990 шт. 1.513100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 185W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 30A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.8V@30A,15V
Заряд затвора (Qg) 155nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 3.2V@0.3mA
Входная ёмкость (Cies) 3.7nF
Выходная ёмкость (Coes) 35pF
Проходная ёмкость (Cres) 16pF
Время задержки включения Td(on) 39ns
Время задержки выключения Td(off) 367ns
Энергия потерь при включении (Eon) 990uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 330uJ
Время обратного восстановления (trr) 95ns

Описание

185W 30A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS