Высокоскоростной IGBT серии High Speed 5 по технологии TRENCHSTOP 5, в общем корпусе с быстрым встречно-параллельным диодом RAPID 1 с мягким восстановлением
Артикул: C536214
Part Number: IKW30N65H5
Производитель: Infineon
от 2.450300 ₽
В наличии: 42 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.935200 ₽ |
| 10 шт. | 3.363200 ₽ |
| 30 шт. | 3.024000 ₽ |
| 90 шт. | 2.681400 ₽ |
| 510 шт. | 2.522400 ₽ |
| 990 шт. | 2.450300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 188W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 35A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 70nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.3mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 45pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 7pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 190ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 280uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 100uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 70ns |
Описание
188W 35A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS