Infineon IKW30N60DTP
Артикул: C536211
Part Number: IKW30N60DTP
Производитель: Infineon
от 1.458900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.437000 ₽ |
| 10 шт. | 2.073400 ₽ |
| 30 шт. | 1.845200 ₽ |
| 90 шт. | 1.611000 ₽ |
| 510 шт. | 1.506000 ₽ |
| 990 шт. | 1.458900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 53A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V |
| Заряд затвора (Qg) | 130nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.05nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 58pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 36pF |
| Время задержки включения Td(on) | 15ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 179ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 710uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 420uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 76ns |
Описание
200W 53A 600V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS