P-канальный обогащение режим Field эффект транзистор
Артикул: C5362100
Part Number: BC3401
Производитель: CBI
от 0.020000 ₽
В наличии: 570 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.039700 ₽ |
| 100 шт. | 0.031600 ₽ |
| 300 шт. | 0.027500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.023600 ₽ |
| 6000 шт. | 0.021200 ₽ |
| 9000 шт. | 0.020000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.4W |
| Рабочая температура | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 50mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.4nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 954pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 77pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 115pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
1.4W 30V 4.2A 1V 50mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)