Infineon IKW15N120BH6
Артикул: C536209
Part Number: IKW15N120BH6
Производитель: Infineon
от 1.923700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.023200 ₽ |
| 30 шт. | 1.923700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W;100W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 30A;15A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.9V |
| Заряд затвора (Qg) | 92nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.7V |
| Входная ёмкость (Cies) | 860pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 60pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 40pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 240ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 700uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 550uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 340ns |
Описание
1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS