Высокоскоростной IGBT серии High Speed 5 по технологии TRENCHSTOP 5, в общем корпусе с быстрым встречно-параллельным диодом RAPID 1 с мягким восстановлением
Артикул: C536198
Part Number: IKP30N65H5
Производитель: Infineon
от 2.676200 ₽
В наличии: 40 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.295400 ₽ |
| 10 шт. | 3.672600 ₽ |
| 50 шт. | 3.302200 ₽ |
| 100 шт. | 2.927000 ₽ |
| 500 шт. | 2.753200 ₽ |
| 1000 шт. | 2.676200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 188W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 55A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 70nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.8V@0.3mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 45pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 7pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 177ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 280uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 100uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 51ns |
Описание
188W 55A 650V TO-220-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS