Infineon IKP30N65F5
Артикул: C536197
Part Number: IKP30N65F5
Производитель: Infineon
от 1.167100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.183300 ₽ |
| 200 шт. | 1.232000 ₽ |
| 500 шт. | 1.188800 ₽ |
| 1000 шт. | 1.167100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 188W;93W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 55A;35A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 45pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns;18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 170ns;174ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 280uJ;90uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 70uJ;20uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 55ns;29ns |
Описание
650V TO-220-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS