Высокоскоростной IGBT серии High Speed 5 FAST по технологии TRENCHSTOP 5, в общем корпусе с быстрым встречно-параллельным диодом RAPID 1 с мягким восстановлением
Артикул: C536194
Part Number: IKP20N65F5
Производитель: Infineon
от 2.119900 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.298800 ₽ |
| 10 шт. | 2.844600 ₽ |
| 50 шт. | 2.575700 ₽ |
| 100 шт. | 2.303600 ₽ |
| 500 шт. | 2.177300 ₽ |
| 1000 шт. | 2.119900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 42A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@20A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 48nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.2mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 30pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 5pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 165ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 160uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 60uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 53ns |
Описание
125W 42A 650V TO-220-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS