Высокоскоростной IGBT серии High Speed 5 по технологии TRENCHSTOP 5, в общем корпусе с быстрым встречно-параллельным диодом RAPID 1 с мягким восстановлением
Артикул: C536189
Part Number: IKP08N65H5
Производитель: Infineon
от 1.566500 ₽
В наличии: 402 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.984400 ₽ |
| 10 шт. | 1.829400 ₽ |
| 50 шт. | 1.730900 ₽ |
| 100 шт. | 1.632300 ₽ |
| 500 шт. | 1.586900 ₽ |
| 1000 шт. | 1.566500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 70W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 18A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@8A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.08mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 500pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 16pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 3pF |
| Время задержки включения Td(on) | 11ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 115ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 70uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 30uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 40ns |
Описание
70W 18A 650V TO-220-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS