TRENCHSTOP усовершенствованный развязка, IGBT В общем корпусе с RAPID 1 быстрый и мягкий встречно-параллельный диод in полностью изолированный корпус

TRENCHSTOP усовершенствованный развязка, IGBT В общем корпусе с RAPID 1 быстрый и мягкий встречно-параллельный диод in полностью изолированный корпус

Артикул: C536183 Part Number: IKFW75N60ET Производитель: Infineon
от 11.388900 ₽ В наличии: 14 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 11.388900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 178W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 80A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V@75A,15V
Заряд затвора (Qg) 440nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.1V@1.2mA
Входная ёмкость (Cies) 4.726nF
Выходная ёмкость (Coes) 215pF
Проходная ёмкость (Cres) 127pF
Время задержки включения Td(on) 33ns
Время задержки выключения Td(off) 340ns
Энергия потерь при включении (Eon) 2.7mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 2.35mJ
Время обратного восстановления (trr) 107ns

Описание

178W 80A 600V TO-247-3-AI одиночные IGBT-транзисторы RoHS