Infineon IKFW50N65DH5
Артикул: C536180
Part Number: IKFW50N65DH5
Производитель: Infineon
от 3.220400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.782600 ₽ |
| 240 шт. | 3.399000 ₽ |
| 480 шт. | 3.280500 ₽ |
| 960 шт. | 3.220400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 124W;91W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 59A;49A;69A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V;2.25V |
| Заряд затвора (Qg) | 95nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.347nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 57pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 23ns;21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 131ns;155ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.46mJ;1.74mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 630uJ;710uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 68ns;104ns |
Описание
650V HSIP-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS