Infineon IKFW50N60DH3E
Артикул: C536178
Part Number: IKFW50N60DH3E
Производитель: Infineon
от 7.177600 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.427800 ₽ |
| 10 шт. | 7.320600 ₽ |
| 30 шт. | 7.249100 ₽ |
| 100 шт. | 7.177600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 130W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 440uA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 160nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.704nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 73pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 48pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 174ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.28mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 560uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 64ns |
Описание
130W 40A 600V HSIP-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS