Infineon IKFW40N60DH3E
Артикул: C536176
Part Number: IKFW40N60DH3E
Производитель: Infineon
от 2.016300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.495900 ₽ |
| 240 шт. | 2.127000 ₽ |
| 480 шт. | 2.052700 ₽ |
| 960 шт. | 2.016300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 111W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 34A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V |
| Заряд затвора (Qg) | 107nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.183nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 32pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 144ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 870uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 360uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 72ns |
Описание
111W 34A 600V HSIP-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS