IGBT с встроенный диод in корпуса предлагающий пространство экономия преимущество
Артикул: C536175
Part Number: IKD15N60RF
Производитель: Infineon
от 2.905700 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.064100 ₽ |
| 10 шт. | 2.996200 ₽ |
| 30 шт. | 2.951000 ₽ |
| 100 шт. | 2.905700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@15A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 90nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.3V@0.25mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 961pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 53pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 33pF |
| Время задержки включения Td(on) | 13ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 160ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 270uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 250uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 74ns |
Описание
250W 30A 600V TO-252 одиночные IGBT-транзисторы RoHS