Infineon IKD06N60R
Артикул: C536168
Part Number: IKD06N60R
Производитель: Infineon
от 0.935800 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.971600 ₽ |
| 10 шт. | 0.957000 ₽ |
| 30 шт. | 0.945600 ₽ |
| 100 шт. | 0.935800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 6A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 40uA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 48nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 470pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 24pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 14pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 127ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 110uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 220uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 68ns |
Описание
100W 6A 600V IGBT модуль TO-252-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS