Infineon IKD04N60RF
Артикул: C536167
Part Number: IKD04N60RF
Производитель: Infineon
от 1.221800 ₽
В наличии: 42 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.264000 ₽ |
| 10 шт. | 1.246100 ₽ |
| 30 шт. | 1.234800 ₽ |
| 100 шт. | 1.221800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 9.1A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@4A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 27nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.3V@0.07mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 305pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 18pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 116ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 60uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 50uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 34ns |
Описание
75W 9.1A 600V TO-252-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS