Infineon IKB40N65EF5
Артикул: C536151
Part Number: IKB40N65EF5
Производитель: Infineon
от 1.784100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.863800 ₽ |
| 200 шт. | 1.883600 ₽ |
| 500 шт. | 1.817200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.784100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W;125W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 74A;46A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V;1.8V;1.9V |
| Заряд затвора (Qg) | 95nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 71pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 22ns;18ns;19ns;17ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 160ns;185ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1mJ;420uJ;1.4mJ;650uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 450uJ;100uJ;470uJ;120uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 83ns;63ns;128ns;95ns |
Описание
650V TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS