Высокоскоростной импульсный серия 5th поколение TRENCHSTOP 5 высокоскоростной импульсный IGBT В общем корпусе с полный номинальный ток RAPID 1 анти параллельный диод

Высокоскоростной импульсный серия 5th поколение TRENCHSTOP 5 высокоскоростной импульсный IGBT В общем корпусе с полный номинальный ток RAPID 1 анти параллельный диод

Артикул: C536148 Part Number: IKB20N65EH5 Производитель: Infineon
от 4.361500 ₽ В наличии: 5 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 4.361500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 125W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 25A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.1V@20A,15V
Заряд затвора (Qg) 48nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 3.2V@0.2mA
Входная ёмкость (Cies) 1.2nF
Выходная ёмкость (Coes) 30pF
Проходная ёмкость (Cres) 5pF
Время задержки включения Td(on) 19ns
Время задержки выключения Td(off) 160ns
Энергия потерь при включении (Eon) 560uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 130uJ
Время обратного восстановления (trr) 80ns

Описание

125W 25A 650V TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS