Низкий потери DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM и С ограничением электрического поля technology с мягкий, быстрый восстановление анти-параллельный С управлением эмиттером диод HE
Артикул: C536143
Part Number: IKB10N60T
Производитель: Infineon
от 0.537800 ₽
В наличии: 397 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.905000 ₽ |
| 10 шт. | 0.755500 ₽ |
| 30 шт. | 0.679100 ₽ |
| 100 шт. | 0.606000 ₽ |
| 500 шт. | 0.560500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.537800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 110W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 24A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.05V@10A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 62nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.1V@0.3mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 551pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 40pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 17pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 215ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 160uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 270uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 115ns |
Описание
110W 24A 600V NPT (не-пробойник Through) TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS