Высокоскоростной IGBT серии High Speed 5 по технологии TRENCHSTOP 5, в общем корпусе с быстрым встречно-параллельным диодом RAPID 1 с мягким восстановлением
Артикул: C536140
Part Number: IKA15N65H5
Производитель: Infineon
от 2.216000 ₽
В наличии: 15 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.236300 ₽ |
| 10 шт. | 2.856100 ₽ |
| 50 шт. | 2.617300 ₽ |
| 100 шт. | 2.373600 ₽ |
| 500 шт. | 2.263200 ₽ |
| 1000 шт. | 2.216000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 33W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 14A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@15A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 38nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.15mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 930pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 24pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 4pF |
| Время задержки включения Td(on) | 17ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 160ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 120uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 50uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 48ns |
Описание
33W 14A 650V TO-220FP-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS