Высокоскоростной IGBT серии High Speed 5 FAST по технологии TRENCHSTOP 5, в общем корпусе с быстрым встречно-параллельным диодом RAPID 1 с мягким восстановлением

Высокоскоростной IGBT серии High Speed 5 FAST по технологии TRENCHSTOP 5, в общем корпусе с быстрым встречно-параллельным диодом RAPID 1 с мягким восстановлением

Артикул: C536139 Part Number: IKA15N65F5 Производитель: Infineon
от 1.692400 ₽ В наличии: 308 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.781000 ₽
10 шт. 1.743000 ₽
50 шт. 1.717700 ₽
100 шт. 1.692400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 33.3W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 14A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.1V@15A,15V
Заряд затвора (Qg) 38nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4V@0.15mA
Входная ёмкость (Cies) 930pF
Выходная ёмкость (Coes) 24pF
Проходная ёмкость (Cres) 4pF
Время задержки включения Td(on) 17ns
Время задержки выключения Td(off) 150ns
Энергия потерь при включении (Eon) 130uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 40uJ
Время обратного восстановления (trr) 50ns

Описание

33.3W 14A 650V TO-220FP-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS