IGBT in траншейный и field-останов technology с мягкий,быстрый восстановление анти-параллельный быстрый диод
Артикул: C536137
Part Number: IKA10N65ET6
Производитель: Infineon
от 1.447000 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.524300 ₽ |
| 10 шт. | 1.492100 ₽ |
| 30 шт. | 1.469500 ₽ |
| 100 шт. | 1.447000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 32.5W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 25A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.9V@8.5A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 27nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.8V@0.15mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 790pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 41pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 12pF |
| Время задержки включения Td(on) | 30ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 106ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 200uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 70uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 51ns |
Описание
32.5W 25A 650V FS (ограничение поля) TO-220-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS