Резонансный импульсный серия обратный проводящий IGBT с монолитный корпус диод
Артикул: C536126
Part Number: IHW30N65R5
Производитель: Infineon
от 2.402300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.736900 ₽ |
| 10 шт. | 3.224200 ₽ |
| 30 шт. | 2.918200 ₽ |
| 90 шт. | 2.609000 ₽ |
| 510 шт. | 2.467400 ₽ |
| 990 шт. | 2.402300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 176W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 153nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.3mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.69nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 34pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 15pF |
| Время задержки включения Td(on) | 29ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 220ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 850uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 240uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 95ns |
Описание
176W 30A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS