Резонансный импульсный серия обратный проводящий IGBT с монолитный корпус диод

Резонансный импульсный серия обратный проводящий IGBT с монолитный корпус диод

Артикул: C536125 Part Number: IHW30N160R5 Производитель: Infineon
от 2.109600 ₽ В наличии: 3870 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.387500 ₽
10 шт. 2.895300 ₽
30 шт. 2.603400 ₽
90 шт. 2.308100 ₽
510 шт. 2.171900 ₽
990 шт. 2.109600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 263W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.6kV
Ток коллектора (Ic) 60A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.15V@30A,15V
Заряд затвора (Qg) 205nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.5V@0.75mA
Входная ёмкость (Cies) 1.5nF
Выходная ёмкость (Coes) 42pF
Проходная ёмкость (Cres) 38pF
Время задержки включения Td(on) -
Время задержки выключения Td(off) 290ns
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) 2mJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

263W 60A 1.6kV TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS