Резонансный импульсный серия обратный проводящий IGBT с монолитный корпус диод

Резонансный импульсный серия обратный проводящий IGBT с монолитный корпус диод

Артикул: C536124 Part Number: IHW30N135R5 Производитель: Infineon
от 1.629000 ₽ В наличии: 434 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.954800 ₽
10 шт. 2.518900 ₽
30 шт. 2.089500 ₽
90 шт. 1.809300 ₽
480 шт. 1.683100 ₽
960 шт. 1.629000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 330W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.35kV
Ток коллектора (Ic) 30A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.95V@30A,15V
Заряд затвора (Qg) 235nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.1V@0.75mA
Входная ёмкость (Cies) 1.81nF
Выходная ёмкость (Coes) 50pF
Проходная ёмкость (Cres) 40pF
Время задержки включения Td(on) -
Время задержки выключения Td(off) 310ns
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.4mJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

330W 30A 1.35kV TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS