Infineon IGZ75N65H5
Артикул: C536115
Part Number: IGZ75N65H5
Производитель: Infineon
от 3.110700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.480700 ₽ |
| 200 шт. | 3.282000 ₽ |
| 500 шт. | 3.167800 ₽ |
| 1000 шт. | 3.110700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 395W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 166nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 75pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 16pF |
| Время задержки включения Td(on) | 26ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 347ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 680uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 430uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
395W 75A 650V TO-247-4 одиночные IGBT-транзисторы RoHS