Infineon IGW60N60H3
Артикул: C536109
Part Number: IGW60N60H3
Производитель: Infineon
от 6.722700 ₽
В наличии: 8 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.003800 ₽ |
| 10 шт. | 6.883600 ₽ |
| 30 шт. | 6.804000 ₽ |
| 100 шт. | 6.722700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 416W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.85V@60A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 375nC@60A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.66nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 130pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 106pF |
| Время задержки включения Td(on) | 27ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 252ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.13mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
416W 80A 600V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS