Infineon IGW50N60H3
Артикул: C536104
Part Number: IGW50N60H3
Производитель: Infineon
от 5.418200 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.418200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 333W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 315nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.1V@0.8mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.96nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 116pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 96pF |
| Время задержки включения Td(on) | 23ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 235ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.45mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 910uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
333W 50A 600V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS