Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology

Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology

Артикул: C536099 Part Number: IGW40N60H3 Производитель: Infineon
от 3.520000 ₽ В наличии: 64 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 4.009800 ₽
10 шт. 3.820700 ₽
30 шт. 3.709100 ₽
90 шт. 3.595900 ₽
510 шт. 3.544800 ₽
990 шт. 3.520000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 306W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 80A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.4V@40A,15V
Заряд затвора (Qg) 223nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.1V@0.58mA
Входная ёмкость (Cies) 2.194nF
Выходная ёмкость (Coes) 82pF
Проходная ёмкость (Cres) 65pF
Время задержки включения Td(on) 19ns
Время задержки выключения Td(off) 197ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.1mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 580uJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

306W 80A 600V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS